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dc.contributor.advisorOsorio Vélez, Jaime Alberto
dc.contributor.authorTorres Martínez, Andrés Felipe
dc.date.accessioned2025-02-24T20:25:19Z
dc.date.available2025-02-24T20:25:19Z
dc.date.issued2024
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.11912/12320
dc.description97 páginasspa
dc.description.abstractEn el presente trabajo de grado se plantea un prototipo para poder tomar medidas de voltaje y corriente a bajas temperaturas para elementos electrónicos, además de que se muestran los resultados obtenidos al medir para una resistencia, un capacitor, un diodo rectificador, un diodo Zener, un BJT NPN NPN 2N3904, un JFET 2N3819 y un MOSFET 2N7000 bajo la temperatura del nitrógeno líquido (−198℃). La importancia de este estudio está en poder determinar cómo funcionan estos dispositivos para que puedan ser tomados como referencia para diseño de tarjetas PCB y aplicaciones que involucren temperatura criogénica, como lo es en este trabajo para el proyecto Deep Underground Neutrino Experiment (DUNE), específicamente para la tarjeta de adquisición de datos llamada Cold electronics. Se analizan los datos resultantes y se obtienen conclusiones al respecto con el marco teórico de distintos estudios de materiales semiconductores y dispositivos como transistores y diodos, además de la teoría básica de estos componentes.spa
dc.format.mimetypeapplication/pdfspa
dc.language.isospaspa
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/*
dc.titleCaracterización de componentes electrónicos a baja temperaturaspa
dc.typebachelorThesisspa
dc.publisher.departmentEscuela de Ingenieríaspa
dc.publisher.programIngeniería Electrónicaspa
dc.type.hasVersionacceptedVersionspa
dc.description.sectionalMedellínspa
dc.description.degreenameIngeniero Electrónicospa


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