Caracterización de semiconductores de potencia a base de nitruro de galio (GaN)

Abstract

Este proyecto consiste en la caracterización de dispositivos de potencia a base de semiconductores como Nitruro de Galio (GaN), Carburo de Silicio (SiC) y Silicio (Si), analizando sus propiedades, comportamientos y rendimientos a diferentes pruebas de voltajes, corrientes y temperaturas, llevados acabo mediante una placa caliente implementada y el uso de un software llamado ARYLAB. This project involves the characterization of power semiconductor devices based on materials such as Gallium Nitrite (GaN), Silicon Carbide (SiC) and Silicon (Si) by analyzing their properties, performance and behavior through various tests with voltages, currents and temperatures carried out with a suitable hotplate setup and using the software ARYLAB.