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Caracterización de semiconductores de potencia a base de nitruro de galio (GaN)

dc.contributor.advisorDirector. Guzmán Serna, Fabio Alonso
dc.contributor.authorMejía Súarez, Oscar Mauricio
dc.coverage.temporal2013es_CO
dc.date.accessioned2020-09-15T16:35:37Z
dc.date.available2020-09-15T16:35:37Z
dc.date.issued2013
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.11912/6022
dc.description62p.: (pdf); il; imágenes; gráficas; tablas.es_CO
dc.description.abstractEste proyecto consiste en la caracterización de dispositivos de potencia a base de semiconductores como Nitruro de Galio (GaN), Carburo de Silicio (SiC) y Silicio (Si), analizando sus propiedades, comportamientos y rendimientos a diferentes pruebas de voltajes, corrientes y temperaturas, llevados acabo mediante una placa caliente implementada y el uso de un software llamado ARYLAB.es_CO
dc.description.abstractThis project involves the characterization of power semiconductor devices based on materials such as Gallium Nitrite (GaN), Silicon Carbide (SiC) and Silicon (Si) by analyzing their properties, performance and behavior through various tests with voltages, currents and temperatures carried out with a suitable hotplate setup and using the software ARYLAB.en
dc.formatapplication/pdfes_CO
dc.language.isospaes_CO
dc.publisherUniversidad Pontificia Bolivarianaes_CO
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/*
dc.subjectSemiconductores de potenciaes_CO
dc.subjectFuerza electromotrizes_CO
dc.subjectSoftware - ARYLABes_CO
dc.subjectTemperaturaes_CO
dc.titleCaracterización de semiconductores de potencia a base de nitruro de galio (GaN)es_CO
dc.typePrácticaes_CO
dc.creator.degreeIngeniero Electrónicoes_CO
dc.publisher.departmentEscuela de Ingenieríases_CO
dc.publisher.programIngeniería Electrónicaes_CO
dc.type.hasVersionpublishedVersiones_CO
dc.description.sectionalBucaramangaes_CO


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